Научный семинар
Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе структур HgTe/CdHgTe
Докладчик
Сергей Анатольевич Тарасенко
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
д.ф.-м.н.
Информация актуальна на момент доклада.
Видео
Аннотация
На поверхности кристалла или гетерогранице могут возникать локализованные состояния, обусловленные нарушением периодического потенциала.
Особый класс диэлектрических трехмерных (и двумерных) кристаллов, имеющих устойчивые к возмущениям проводящие поверхностные (краевые) состояния получили название топологических изоляторов.
В докладе дан краткий обзор современного состояния физики топологических изоляторов, представлены результаты наших исследований электронной структуры и фотогальванических эффектов в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе гетероструктур HgTe/CdHgTe.
Обсуждаются эффекты, обусловленные отсутствием центра пространственной инверсии в гетероструктурах, в том числе связанные со смешиванием легких и тяжелых дырок на интерфейсах.